Complex Precision.

• 中国移动通讯业发展误入歧途zz

  2007-12-27

  Tag：技术人生

  ____________________________________________________ From chinese.wsj.com 最近一段时间，创新一词成了中国人的口头禅。在国家主席***10月15日所作的中共***报告中，这个词出现了35次之多。中国追求创新以及沿着价值链向上攀升的内在逻辑是显而易见的。它在扮演世界工厂这一角色方面已几乎做到了极限。中国的空气和水污染正在引发越来越多的社会矛盾和公共健康问题。中国对美和对欧贸易顺差剧增引发了重重贸易摩擦，而人民币升值又势必会降低中国作为低成本生产基地的吸引力。 从理论上说，通讯市场能够起到引领创新潮流的作用。通讯业已经是中国经济中最具活力的领域之一。中国的移动电话用户数雄居世界之首，超过5.2亿户；同时中国的宽带上网用户数即将超越美国，在全球拔得头筹。在电信服务领域，中国企业已成功主导了国内市场。四大国有电信运营商几乎占据了国内移动电话和固定通讯市场的全部，尽管其业务增长主要靠的是政府照顾，而不是自我创新。 而在互联网内容方面，像百度(Baidu)、腾讯(Tencent)和阿里巴巴(Alibaba)这样由民营企业家创办的公司分别主导了中国的网上搜索、网络聊天和消费者电子商务市场。虽然中国对外资企业在这些领域的限制可能为它们的成功助了一臂之力，但获得了海外资金支持的中国企业家们在营销、分销以及业务模式方面勇于创新才是他们取得市场优势地位的关键之所在。 从这个角度看，企业家的创新精神在中国至少是存在的。但中国***和中央政府在看待民营企业在互联网内容和服务市场的成长时却怀着一种复杂的感情，因为这对其自身在大众传媒领域的传统主导地位带来了挑战。因此中国领导人更乐于看到科技方面的创新，他们希望中国能在新技术领域取得一批“突破性”创新成果。本届中共中央政治局的成员几乎清一色是工程师出身，只有地质工作者出身的***总理算是个例外。 中国的技术型官僚们还将创新看作是降低中国对外国供应商和知识产权依赖程度的方法。中国的经济民族主义情绪正在升温。***主席在***报告中阐述其“科学发展观”理论时断言，创新“是国家发展战略的核心，是提高综合国力的关键。”而***总理2007年3月5日向全国人大作报告时则多次提到了“自主”创新。在政府制定的《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中，包含有16个“重大项目”，涉及从无线宽带移动通讯到探月等诸多领域。***在报告中谈到中国在第三代数字多媒体移动通讯等领域已经取得了一系列“突破”时，他所指的就是时分同步码分多址(TD-SCDMA)这一中国自主制定的第三代移动通讯(3G)技术标准。中国将TD-SCDMA定位为欧洲供应商主打的W-CDMA和美国高通公司(Qualcomm Inc.)开创的EV-DO这两种3G标准的替代技术。 误入歧途的一步 得益于中国政府成功实施的“信息化”政策，中国消费者今天得以普遍享受质优价廉的通讯服务。2007年中国电信服务市场的规模将超过950亿美元，其中有100亿美元来自无线增值服务。受惠于中国庞大的互联网和移动通讯基础设施，数字音乐和网络游戏等通讯领域的非主流业务也取得了快速增长，预计2007年时上述两项业务将分别实现收入23亿美元和14亿美元。 但TD-SCDMA标准的支持者们看到的却是另外一幅景象。过去10年来中国的通讯设备市场中基本上都是阿尔卡特(Alcatel)、爱立信(Ericsson)、摩托罗拉(Motorola)和诺基亚(Nokia)这样的外国厂商。当25年前这些西方企业最初进入中国时，吸引它们的并非中国国内市场，而是这里低廉的土地和劳动力成本，它们当时只是打算将中国作为自己的出口基地。中国第二家移动通讯运营商中国联通(China Unicom)在上世纪90年代中期成立后，中国通讯市场也开始起飞，而那些已经在中国建立了生产设施的西方通讯设备制造商则惊喜地发现自己在正确的时候来到了正确的地方。 以爱立信为例，该公司今年11月宣布，它已在过去20年中从中国移动(China Mobile)旗下子公司广东移动(Guangdong Mobile)手中获得了价值超过人民币400亿元（合53.8亿美元）的合同。1987年，爱立信向广东移动建设的中国首个模拟移动通讯网络提供了设备，那是中国首个第二代(2G)全球移动通讯网(GSM)。 虽然中国消费者从本国通讯市场的大发展中获益良多，但外国通讯设备厂商在中国土地上取得的成功却使中国那些最不具备国际竞争力的电讯研究机构和设备制造商陷入了困境。那时中国不仅早就拥有本土电子产业，还有一批雄心勃勃的国有电信设备制造商。在1998年之前，这些企业都统归当时的电子工业部(Ministry of Electronics Industry)管理。上世纪90年代中期时任信息产业部部长的吴基传出于现实的考虑决定鼓励中国电信运营商从国外厂商购买第二代GSM设备，因为那时中国没有一家本土电信设备生产商在规模、资源和管理方面具备满足政府移动通讯发展目标的能力。 面对西方厂商在中国市场的主导地位，华为技术有限公司(Huawei Technologies Co.)和中兴通讯股份有限公司(ZTE Corp.)这两家中国企业决心向国外竞争对手发起反击，并走出国门。而到目前为止它们取得的成绩令人瞩目。今年以来，华为65%的合同收入来自海外，中兴通讯的这一比例也达到56%。这意味着两家公司今年在海外市场的合同销售额分别为72亿美元和41亿美元。中国电讯设备企业的海外扩张，特别是在东南亚、非洲和欧洲等地区的进展，是导致全行业利润率下滑及引发欧洲和北美同行相互兼并的一个关键原因。而具有讽刺意味的是，中国厂商凭藉廉价设备和手机在国际市场取得的成功还加快了W-CDMA等3G标准在全球的普及。 用这种方式，华为和中兴通讯得以避免了像日本通讯设备厂商在上世纪90年代那样陷入自我孤立的困局。在2G时代，日本采用了自己开发的个人数码蜂窝标准(PDC)。这一标准虽然成功地将国外竞争对手挡在了日本市场之外，却也使日本电讯设备制造商沦为国际市场的边缘角色。直到3G时代日本才放弃孤立主义政策，对外开放国内IP，并推出支持W-CDMA标准的产品。 在对外扩张过程中，华为和中兴通讯并没有试图对外输出中国自己的技术标准，而是像韩国同行们之前对待CDMA和GSM标准那样，推出顺应国际潮流的设备和手机。相比之下，中国另外一家通讯设备厂商──大唐移动通信设备有限公司(Datang Mobile Communications Equipment Co.)面对外国竞争却选择以寻求政府支持和呼吁保护国内市场来谋得发展。而大唐是隶属于中国信息产业部电信研究院(China Academy of Telecommunication Technology)的一家企业，后者是接受中国政府拨款的一家研究机构。 TD-SCDMA最初是由西门子公司(Siemens AG)在德国推广的一项技术，在与W-CDMA标准竞争国际主导地位而落败后，TD-SCDMA被西门子与中国方面合作包装成W-CDMA的替代品。后来中国将TD-SCDMA技术标准提交给联合国电信机构──国际电信联盟(International Telecommunications Union)，并使其正式成为全球三种3G标准之一。 但时至今日，大唐仍未准备好TD-SCDMA标准的商用化，而其他3G标准却在世界各地普及开来，到头来中国成了目前唯一积极认可TD-SCDMA标准的国家。目前W-CDMA技术标准的全球用户已突破1.4亿，EV-DO标准的用户也超过了7,000万。这两种技术标准正在实现巨大的规模效益，并形成了包括设备生产商和供应商在内富有活力的“行业生态系统”，相比之下TD-SCDMA标准连商用化都还无法实现。 随着时间一天天的过去，TD-SCDMA与各国际通用标准，特别是与W-CDMA标准的差距正越拉越大。被称为“W-CDMA加强版”的HSPA技术能使数据传输速率达到每秒20至40兆字节。正因为它有如此强大的带宽，现在瑞典人上网正越来越多地选择W-CDMA加强版，而不是固定线路的ADSL。从手机上传视频文件已经成为现实。而TD-SCDMA那种传输率只有2.8兆的手机到现还在商用化的道路上挣扎，预计这种手机最快也要到2008年夏季才能与大众见面。 虽然耗费巨大，但在中国的技术型官僚执意要在科技领域取得“突破”的局面下，看来中国还是要坚守TD-SCDMA标准。这与信息产业部前部长吴基传在90年的做法大相径庭，等于是竖起了推广本土技术标准和IP的大旗。 TD-SCDMA的支持者们垂涎于中国市场诱人的商机。据中国国家发展和改革委员会(Reform Commission forecasts China Mobile)预测，中国移动(China Mobile)、中国电信(China Telecom)和中国网通(China Netcom)将花费34亿美元在2008年建起覆盖全国20座城市的TD-SCDMA试运行网络。然而这与W-CDMA及EV-DO网络在开发和建设方面已投入的数千亿美元相比只是九牛一毛，根本不足以形成能让TD-SCDMA成为实用性技术的规模经济。 TD-SCDMA的拥护者声称这34亿美元不过是刚刚开始，他们盯上的是今年中国电信服务提供商将在基础建设方面（包括固定和移动网络）投入的310亿美元。但与电信服务提供商950亿美元的年收入相比，它们在设备采购上的支出却相形见绌。中国电信服务业的收入仍在增长，特别是手机业务方面。然而中国电讯设备采购支出的前景却不容乐观，今年的采购金额下滑了3%。激烈竞争导致设备厂商的利润率下滑，进而在全球范围掀起新一轮的并购潮。 特立独行的代价 中国是引发全球电信设备行业整合的关键因素之一。华为和中兴通讯对外国同行发出了有力挑战，特别是在发展迅速的新兴市场上。但具有讽刺意味的是，中国政府推广TD-SCDMA技术实际上是在给这两家公司拖后腿。由于政府指派它们为TD-SCDMA技术的商用化提供帮助，这就分散了两家公司在与国际同行竞争时宝贵的研发开支和时间。尽管华为和中兴通讯提升了研发经费在收入中的比重，但由于公司规模小，因而其研发支出仍然远远落后于爱立信(Ericsson)、阿尔卡特-朗讯(Alcatel-Lucent)和诺基亚西门子通信公司(Nokia-Siemens Networks)这三大巨头。 推出TD-SCDMA的初衷──帮助国内厂商赢得更大的国内市场份额──现在似乎显得有些多余。2006年，华为在华销售的国际标准设备夺得了22%的国内市场，占据设备合约的最大份额，也将爱立信挤下了市场排名的头把交椅。中兴则上升到第四位，排在诺基亚西门子通信之后。 TD-SCDMA也没给中国的电信公司带来什么好处。中国政府通过国务院国有资产监督管理委员会(SASAC)成为了四大电信运营商最大的股东。因而它也有责任确保这些公司进行明智的投资。除了为中国客户和股东服务之外，这四大电信运营商的管理团队还要向两家上级机关报告：SASAC和中组部。 让SASAC满意意味着要选择成熟的国际标准设备，但现阶段要得到***以及在许多经济领域推行地方标准的国家发展和改革委员会(National Development Reform Commission)的赞许则意味着应选择TD-SCDMA。由于中共指定中国最大的移动运营商中国移动(China Mobile)采用TD-SCDMA，而不是实现从GSM到W-CDMA的自然升级，该公司的失望溢于言表。但由于TD-SCDMA还不能大范围推广，中国政府决定禁止采用其他3G标准，从而延误了迫在眉睫的行业重组。 但能否让中国消费者满意则是TD-SCDMA尚未直面但却最为严峻的考验。中国消费者选择手机的标准是时尚而不是科技。成功的移动技术必须能有很多种手机可供选择，包括中国消费者耳熟能详的品牌。诺基亚等国际厂商还没开始生产这类手机，因此待选的机型不过有限的几十款，而已有的W-CDMA机型则有几百种。 为了保护TD-SCDMA在中国的商机，中国政府简直无所不用其极，要求手机厂商砍掉在华销售手机的功能就是其一。比如诺基亚就被要求去掉其广受欢迎的N系列手机的3G功能。这样一来，中国在吸引国际厂商在华生产和设计手机上取得的成功就变得岌岌可危：现在全世界的手机中超过40%都是在中国生产的。 除了机型的选择，中国消费者还希望实现全方位的覆盖。中国移动采用的GSM技术已经覆盖了中国98%的人口。为了确保覆盖率，TD-SCDMA需要提供同时支持GSM的“双模”话机。去国外旅行的中国消费者需要用GSM（在日本或韩国等地需要用W-CDMA)。在日本推行本国PDC标准的十年中，日本人以及赴日游客都觉得极为麻烦，机场不得不推出了临时租用电话的服务，而且人们还要忍受与家人、朋友或同事中断联系的不便。 双模手机的成本无疑会高过单一模式的手机。如果政府要有效地在TD-SCDMA手机中捆绑GSM功能，就必须付出极高的补贴。 最后，TD-SCDMA阵营还在努力铺设网络。虽然TD-SCDMA的工程师强调其“突破性的多极波束形成”技术，但目前这一创新带来的最终结果是需要大得多的天线和更多的基站。TD-SCDMA所需天线的大小据说是现有的GSM天线的三倍，重达两吨。《财经》杂志最近的一篇报道指出，大唐电信在广州和上海建设TD-SCDMA基站的计划出现了严重拖延，产能不足以及在获得发射站和光纤配线方面的困难致使其原定于2007年10月开通基站的计划搁浅。 如果中国要在TD-SCDMA技术上与国际厂商激战一番，并将其他3G形式的推出耽搁到2009年甚至2010年的话，那么消费者、厂商和电信公司将会付出巨大代价。仅从所需的数十亿美元手机补贴来看，采用TD-SCDMA技术就要付出高昂的成本。但中国面临的最大代价可能是贸易摩擦的加剧。虽然中国政府号称TD-SCDMA是本土技术，但TD-SCDMA的IP分配在海外还有争议，像高通公司这样的西方公司如果觉得自己被排除在市场之外，那么则可能会提出专利费方面的要求。 但随着“独立创新”的四字箴言成为中国国内研究院向政府要求资金和奖励的战斗口号，许多机构都想用若干地方标准将TD-SCDMA取而代之，比如移动电视、视听编码、数码之家和无线加密等方面的技术。 包括李克强在内的一些非工科出身的领导人进入中央政治局，表明随着对市场经济重视程度的加深，专家政治的色彩可能会有所冲淡。中国政府要做的不是去炮制“按需创新”，而应该着重满足那些使创新得以大量涌现的必要条件，包括坚持发展教育和进行资本市场改革等。如果国家政策、以及政治家们都去充当向特定科技领域划拨投资的背后推手，那么这样不但会抑制创新，还会阻止中国向前发展。 （编者按：本文作者Duncan Clark是投资顾问公司BDA(www.bdaconnect.com)的董事长，该公司重点关注亚洲的电信、媒体及科技领域，在北京和新德里均设有办事处。） ____________________________________________________

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• 色戒 投名状 集结号

  2007-12-26

  Tag：光影食色

  ____________________________________________________ 《色戒》：  女人不可靠 《投名状》：兄弟也不可靠 《集结号》：组织更不可靠 《色戒》：  女人不可靠 《投名状》：女人真的不可靠 《集结号》：女人似乎不需要  ____________________________________________________

  发表于12:46 | 阅读全文 | 评论 0 | 编辑 | 推荐

• Wishes from Gmail!

  2007-12-25

  Tag：光影食色

  ____________________________________________________ There may be snow outside, but hopefully there snow spam in your inbox. May your inbox be filled with jow this holiday season and beyond. ____________________________________________________

  发表于07:54 | 阅读全文 | 评论 0 | 编辑 | 推荐

• Laker and Sansen

  2007-12-24

  Tag：技术人生

  ____________________________________________________ *** 顺便说一句，终于吃到小郑老师的喜糖了，呵呵。恭喜。 ____________________________________________________

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• RFMD又收购，Filtronic

  2007-12-21

  Tag：光影食色

  ____________________________________________________ From compoundsemiconductor.net GREENSBORO, N.C., Dec. 20 /PRNewswire-FirstCall/ -- RF Micro Devices, Inc. (Nasdaq: RFMD - News), a global leader in the design and manufacture of high-performance radio frequency systems and solutions, and Filtronic PLC (LSE: FTC - News) today announced a definitive agreement pursuant to which RFMD will acquire Filtronic Compound Semiconductors Ltd, a wholly owned subsidiary of Filtronic PLC, for an acquisition price of approximately 12.5 million pounds in cash. The acquisition price includes the purchase of Filtronic Compound Semiconductors' six-inch GaAs wafer fabrication facility ("fab") at Newton Aycliffe, United Kingdom, which is currently a major supplier of GaAs pHEMT semiconductors to RFMD. The acquisition price also includes the purchase of Filtronic Compound Semiconductors' millimeter wave RF semiconductor business. RFMD expects the addition of Filtronic Compound Semiconductors' high- volume GaAs fab to significantly reduce RFMD's GaAs pHEMT sourcing costs and provide additional capacity, thereby providing RFMD the opportunity to capture incremental revenue that otherwise might be subject to capacity constraints during calendar year 2008. Additionally, RFMD expects the addition of Filtronic Compound Semiconductors' millimeter wave business to strengthen the product portfolio of RFMD's recently formed Multi-Market Products Group and be accretive to RFMD's target margin profile for its multi-market business. Bob Bruggeworth, president and chief executive officer of RFMD, said, "The acquisition of Filtronic Compound Semiconductors is expected to increase our manufacturing volume, lower our overall cost structure and provide RFMD with a high-volume supply of GaAs pHEMT, all of which support our aggressive growth expectations for cellular front ends. In addition, we anticipate that Filtronic Compound Semiconductors' strong millimeter wave business will add profitable, high-margin revenue to our Multi-Market Products Group and enable RFMD to further diversify into new growth markets that leverage our global leadership in RF." RFMD expects to complete the acquisition before the end of its fourth fiscal quarter, ending in March 2008, subject to customary closing conditions. Richard：难道真的如xx所说：这个行业最后会只剩下四家巨无霸？ ____________________________________________________

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• Si/GaAs/GaN/InP PA

  2007-12-20

  Tag：技术人生

  ______________________________________________________________ 今天在EETChina上看到关于Si和GaAs PA的文章，结合自己的一些了解，谈一下这几种材料的PA，希望对大家有用。 无疑，在高频功率器件中，GaAs（包括HBT，MESFET，HEMT等）技术是最成熟的。在微波大功率应用上，一直就是GaAs的天下，不叙。现在又有了非常强有力的竞争对手：GaN。作为宽禁带半导体的杰出代表，GaN具有更高的饱和电子迁移率和击穿场强，而且还具备非常高的热传导性能，能够使基于GaN的PA能够比其他诸如Si或者GaAs器件高很多的温度下工作。GaN器件的研究，无论是在学术界还是工业界，都达到了空前繁盛的阶段。美国和日本的很多大学及研究机构、商业公司，都投入了非常大的财力物力，希望在GaN市场上抢得先机，譬如UCSB，HRL，TOSHIBA，NEC，Eudyna，Skyworks，RFMD，TriQuint，Anadigics等等。而代表目前GaN PA最高水平的产品，应该是TOSHIBA的14.5GHZ 65.4W GaN HEMT器件，在21.0×12.9mm封装中产生如此高频大功率，无论速调管、行波电子管还是其他固态技术（如GaAs，LDMOS）无法比拟的。GaN PA的主要目标市场包括：（1）无线基站市场；（2）WiMAX市场：WiMAX基站要求功率放大器具备大功率、良好的线性和高效率，这些都是氮化镓技术的优势。美国Nitronex公司和日本Eudyna公司已经能够向市场提供商业化的WiMAX基站器件了，当然这些公司同时也能够提供硅和砷化镓的器件。（3）卫星通讯市场；（4）防务和空间市场：关键的应用包括：相控阵雷达、智能武器、电子对抗系统和军事通讯。对于氮化镓制造商而言，航空及军事市场至关重要，这个市场对性能和可靠性的看重大于成本。这个只要看看美国DARPA和几家军工背景的大公司（如HRL，N-G）的大动作就可见一斑了。另外，GaN在半导体照明应用上也是潜力无限，按下不表。中国大陆对于GaN的研究，据我所知有这么几家：中科院物理所（材料）、中科院半导体所（材料）、中科院微系统所（材料）、中科院微电子所（工艺、器件、电路）、中电55所（工艺、器件、电路）、中电13所（工艺、器件、电路）、西电等。至于达到了什么水平，因为是保密项目，不方便透露，反正与国际水平还有不小的距离。另外说一句，我自己对于GaN最直观的认识是他太经“摔”了，我们几个不同的小组一起在工艺线流片的时候，InP组的同学最郁闷，因为InP材料基本稍微一不小心就碎了；GaAs组的次之，有可能一个清洗步骤中超声波功率稍大，片子就开了；只有GaN组的同学最爽，各个工艺步骤操作都可以“大开大合”，更不不需要担心破碎，甚至故意摔都不会碎，可见GaN材料（蓝宝石或者SiC衬底）的可靠性。以上关于GaN，就这样乱扯一通。 再说一下Si和GaAs PA。GaAs在微波大功率应用的领导地位无需多言了，咱们看看离我们最近的应用：手机PA。“几乎”所有的手机PA（包括RF开关等）都是GaAs工艺，最大的手机PA供应商是RFMD（拆开Nokia看看，^-^），其他还有Skyworks，TriQuint等。之所以用GaAs不用Si的原因，大家应该都知道：高频，高击穿场强，高线性等。正如大家所想，很多人都想通过改进Si工艺来取代GaAs，好处很显然，比如：“低成本”、更高集成度等。大家一直在努力，但是令人沮丧的是，时至今日还没有任何可量产的Si工艺可以和GaAs相媲美。不过，今年陆续有几家公司的成功给Si的坚定支持者注入了强心剂：Jazz Semiconductor, Axiom Microdevices（AX502），SiGe Semiconductor, Acco Semiconductor，Intel，Peregrine Semiconductor（RF开关）等，感兴趣的朋友可以详查。 关于“低成本”：人们总是认为GaAs的成本大于Si，其实是误解。借用Anadigics副总裁兼CTO黄清亮的话：“硅基材料的支持者们一直都在号称有办法让手机PA从GaAs全面转向CMOS工艺，但他们总是遇到或多或少无法预料的问题。直到现在，无论硅还是硅锗的PA在手机上的应用还是少之又少。虽然购买一片6寸GaAs晶圆需要美金500左右，而8英寸硅晶圆的成本还不到50美金。但是我们可以利用一片6英寸GaAs晶圆上生产5000～1万片PA，单个芯片的成本并没有想象的那么高。12英寸的CMOS工艺已经进入大规模量产，但目前最先进的GaAs晶圆厂依然停留在6英寸时代。之所以没有这么做的原因是由于尺寸增加所带来的成本效益对于PA产品来说并不明显。6英寸硅晶圆可以生产的芯片有限(也许只有50片)，8英寸晶圆面积比原来增加1.78倍，除了新增尺寸外，边料利用率的提高也会增加产出。如前所述，6英寸GaAs晶圆的产出大约为5,000～10,000片PA，另外即使转到8英寸生产线，产量也只会提高到8,000～15,000片，两者差别并不是很大。” 关于Si和GaAs的成本争议，再看市场研究公司Strategy Analytics的分析： One of the oft-repeated arguments from the silicon camp is that GaAs is an expensive, exotic technology that is merely tolerated by end-users as it currently offers the best performance. In targeting the cellular front-end, Jazz and Axiom have focused largely on integration, but cost is also an  integral part of their argument. Axiom cites $1000 for a typical 8 inch 0.13 µm CMOS foundry wafer, comparing it with a 6 inch wafer from a GaAs foundry that it claims could cost as much as $2500. Jazz cites a similar sliding scale for silicon wafers, from around $1000 for CMOS, rising to $2500 depending upon the layers of metallization and extra processes required. SiGe-based PA foundry wafers on an 8 inch platform also cost around $2500, but the larger size offers almost double the potential device yield. So if we simply compare commercial wafer foundry costs, then clearly GaAs is at a disadvantage to both silicon and SiGe. But that's not quite the whole story. It must be remembered that more than 95% of GaAs HBT PA and PHEMT switch manufacturing for cellular handsets is done by integrated device manufacturers (IDMs), such as RFMD, Skyworks, TriQuint or Anadigics, all of whom own in-house manufacturing facilities. We estimate that the real cost of an internally manufactured HBT PA wafer is closer to $800 – raising a serious question mark over silicon's supposed cost advantage. Backing up this argument is evidence that GaAs technology is competing successfully against silicon CMOS in ultra-low-cost handsets. TriQuint is in volume production to China's ZTE for Vodafone's ultra-low-cost handsets, for example. （中兴通信，呵呵） Closer analysis reveals that silicon technologies can actually be significantly more expensive than GaAs when considered for low-volume markets like infrastructure, automotive radar or satellite communications. This emerges when the costs of a mask set are taken into account. We estimate that a GaAs mask set typically costs between $25,000 and $50,000 – compared with between $50,000 and $300,000 (and, in extreme cases, more than $1 million) for silicon processes. We therefore believe that silicon solutions can only be cost-effective for certain niche applications, typically where leading silicon IDMs can run specialized processes on their conventional high-volume manufacturing lines. These applications include millimeter-wave radios and automotive radar. The latter market is one example where this model is already being applied by M/A-COM and Infineon, and is an area where SiGe-based solutions will potentially displace GaAs in both long and short-range platforms. Ultimately, however, GaAs technologies remain the most cost-effective solution for high-power, high-frequency applications, with demand from cellular handsets continuing to be the primary growth engine for the GaAs industry as 3G services expand. 相信大家现在对于这个问题终于有比较透彻的了解了，大家都希望将来Si能取代GaAs，但显然还有比较长的路要走。 另外说到集成度的比较，既然Si无法取代GaAs，那么GaAs能否取代Si呢？--当然，历史不能倒退，用GaAs取代数字Si电路。但是，看看Anadigics和Skyworks正在做些什么：他们的BiFET工艺在单芯片上集成了PAs,LNAs,RF Switches,Filters还有一些偏置控制、逻辑控制功能，比如说全集成的802.11 a/b/g WLAN前端芯片。Well done!说到这里顺便提一下GaAs除了功率应用之外的应用，比如说超高速数模混合电路。Euvis公司有GaAs HBT工艺的4GHz/24bit DDS产品，Rockwell公司有6Gbps/6bit ADC产品，这些产品主要应用在军事中，从技术上来讲，似乎也不一定比Si要好很多，不叙。前面说了很多国外的公司，关于中国大陆做GaAs PA的公司，据我所知只有锐迪科有相关的成熟产品推出。还有两外一家New StartUp的公司在昆山，叫做DAC Semiconductor（德可：www.dacsemi.com），我有师兄今年毕业去了那里。大陆的化合物代工厂也在极速发展之中，55所，13所，中科院微电子所都有标准的化合物工艺线，但目前也仅限于科研应用。真正的代工厂在深圳、昆山、南京。深圳的世纪晶源投资巨大（有政府支持），目前首期已经投产，他的几位核心领导都是我认识的一位前辈在美国的同事，据他说这几个人办事一定能成功，我相信；昆山的就是Anadigics的工厂了；南京的是国芯半导体。也许以后锐迪科，还有别的设计GaAs PA的公司，就可以不去UMS，Win，Knowledge*On等流片了，直接在大陆搞定，期待。这里插播一段八卦：（1）据同学的师兄说，RFMD上海做PA的工资：应届硕士13万起，应届博士17万起，年薪；（2）DAC昆山：应届博士>14K/month。各位做RFIC的同志，可以作为参考。GaAs扯完了。 最后再简单说说InP。InP最突出的优点是超高Ft，UCSB做的InP HBT已经超越600GHz，我们组的InP器件（HEMT，DHBT）目前突破200GHz，代表“国内最高”水平。InP电路主要集中在超高速数模混合电路和光电电路中，比较突出的公司有Inphi、TRW等，其余应用还有无源毫米波成像，无线光缆等。目前有>19GHz DDS，>20GHz ADC/MUX/DEMUX等成熟产品；N-G公司的300GHz PA做的无源毫米波成像技术几乎可以穿透任何衣物和惰性材料已应用于安全检查，我有幸见到一张成像图片，真的是一览无遗，几近裸体，呵呵；Giga-beam公司的无线光缆技术也是应用71-76GHz，81-86GHz，92-95GHz的InP PA，实现短距离（1英里）超过10Gbps无线点对点双工保密通信。有兴趣的兄弟可以网上详查。另外，InP在军事上的应用，如跳频通信，相控阵雷达等，也是非常诱人，因此很多国家都投入非常非常非常巨额的经费，我们国家也是如此，呵呵。我们组在做InP DHBT器件，他最要命的地方就是非常脆而外延片又贵得要命，我们为了节省money，通常每次流片都只能用2英寸片子的四分之一，最后好不容易才会得到几个合格的器件，所以做InP工艺真是胆战心惊。 终于彻底扯完了,花费了一个上午的功夫，待会还得去load-pull测试，^-^。因为大多数做微电子的朋友都是和Si打交道，而对于化合物半导体了解较少，所以我早就想结合自己的一些见闻写这么一个东西，希望给大家一个大概的认识，拓宽知识面。当然，我自己也是刚接触不久，所知甚少--有些甚至是错误的认识，仅以此乱七八糟文抛砖引玉，请大家直接批评指正！ 参考： http://www.eetchina.com/ART_8800494023_617687_NT_c2c3b08b.HTM?click_from=RSS coumpoundsemiconductor.net http://richard.blogbus.com/logs/11977455.html rfmd,skyworks,TriQuint,Inphi... web rfdesign.com ...... ______________________________________________________________

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• 纪念岑英权博士 by 杨崇和

  2007-12-19

  Tag：技术人生

  ______________________________________________________________ From eetchina.com 2007年12月8日下午，在与癌症顽强搏斗了五年之后，岑英权博士安详地离开人世。虽然隐隐感到这一天总要到来，但当噩耗从硅谷传来时，我仍然无法抑制心中的悲伤，失声痛哭。 英权兄1947 年5 月27 日出生于香港，早年留学美国，获普林斯顿大学应用物理学博士学位，是硅谷知名的半导体专家和高科技创业家。我和英权兄于1995 年在上海贝岭工作时相识。那时从硅谷回国工作的人很少，我们俩很谈得来，加上两人当时都是只身在沪，又都住在公司的宿舍区，几乎朝夕相处，很快成为好朋友。英权兄来沪之前，已经是硅谷的知名人物，他是著名的PMC-Siera 公司的创始人之一，早已可以“腰缠十万贯，骑鹤下扬州”了。像他那样成功的创业家们，有的退隐江湖，去周游世界了；也有很多人改行去做风险投资；即使是再创业，也还是选择在硅谷。而他却选择了来上海工作。那时，国内的半导体产业和今天不可同日而语。从产业角度讲，不论在制造或设计方面都还没有真正起步。而从生活质量上来说，当时的上海和美国相差甚远。我还记得有一次上海贝岭的同事到硅谷，我和英权兄各自在自己家里接待他们，回来后，有同事开玩笑问我：你们俩在硅谷有那么好的房子不住，跑到上海来受罪，是不是有毛病啊？所以，英权兄在那样的时候选择回国，是真正为了发展中国的半导体事业。 1996 年，国家启动909 项目，在上海创建华虹微电子集团。当时主管华登中国风险投资的茅道临先生和我、英权兄以及黄浩明先生探讨在中国创立硅谷式的集成电路设计公司，并希望华虹能够参与投资。所谓硅谷式，即风险投资加创业团队的模式。那时国内的风险投资行业远没成熟，要创建这种公司，难度可想而知。在我们向电子工业部提出这一设想后，胡启立部长多次接见我们，与我们一起探讨此种模式的可行性。在胡部长的亲自支持和推动下，中国第一家硅谷式的IC 设计公司，新涛科技于1997 年在上海正式成立。英权兄任董事长兼首席执行官，黄浩明先生和我各自分管销售和研发。胡部长亲书“新涛拍岸”四个大字送给我们作为鼓励。 作为中国首家硅谷式IC设计公司，新涛在成长和发展过程中不但经历了一般初创公司都会经历的艰难险阻，还遇到了一些特殊的情况。比如，由于新涛有华虹的投资，美国联邦调查局人员曾“拜访”英权兄，对新涛科技从事的业务进行盘问，还要求英权兄向他们报告华虹人员在美的活动情况，遭到英权兄的当场拒绝。他说：作为公民，我依法纳税，已经尽到了我的义务。我没有责任向你们报告什么事情。英权兄正直不阿的品行由此可见。 英权兄以他卓越的领导能力和丰富的经验带领新涛走到成功的彼岸。2001 年4 月，美国半导体著名企业IDT 公司以8500万美元现金的价格并购了新涛科技。那时正值网络泡沫破灭，全球股市大幅下跌，这一价格相当于新浪和搜狐两家美国上市公司的市值总和，在业界引起轰动。这是中国半导体产业的首宗类似案例，名列2001 年中国十大并购案。《亚洲华尔街日报》评论说：这是中国集成电路产业的里程碑。英权兄在四年的时间里带领新涛员工完成了这一业绩，为中国IC 设计产业做出全球瞩目的成绩，并为股东们赚取了高达八倍的回报。这样的成绩在全球股市大跌时取得，更加难得。新涛科技的成功被美国多所知名大学作为研究案例写进博士论文、研究报告和专著中，这些学校的名单中有斯坦福大学、麻省理工学院、伯克莱加州大学和芝加哥大学等。我做为新涛的创始人之一，获得了诸如美国电机电子工程师协会（IEEE）“产业先驱奖”和上海市“白玉兰奖”等多种荣誉，并被邀请到哈佛大学商学院现身说法。而我始终认为，这些荣誉更应该授予英权兄，他才是新涛的领军人物，他更是当之无愧的产业先驱。 在第一次创业成功之后，英权兄就已跻身硅谷最成功的科技富豪之列，更何况二次创业的辉煌。但英权兄的生活却相对简朴、低调，毫不张扬。在贝岭工作时，他和我一样住在贝岭员工的宿舍小区。新涛初创时期，他也和我及其他一些同事同住一个小区，从没有自己搞特殊化。然而，在他从新涛退休，准备回到美国时，对曾经为他服务过的驾驶员和阿姨等都给予厚赠。几年来，又对中美两地的癌症研究机构和其它慈善机构进行了广泛捐赠。英权兄以这种汪洋无泾的长者胸怀，实践了古人所说的“日费千金为一瞬之乐，孰若散而活馁几千百人”的境界。 英权兄对生活积极乐观，兴趣广泛。他的爱好之一是养锦鲤。他对锦鲤的宠爱，不亚于爱狗人对狗的宠爱。有一次，他上午很晚才来办公室，对我说： Sorry，我的鱼病了，今天带它去打针。我到那时才知道，原来鱼病了也可以打针。他热爱中国文化，喜欢收藏瓷器和书法作品。他经常和我讨论对某一件艺术品的看法，认真的态度绝不亚于对工作，有时两人甚至争得面红耳赤。他对瓷器有特殊的爱好，为了学习和了解古瓷器的制造和鉴赏，我们曾一起前往景德镇拜访景德镇陶瓷考古研究所的专家，学习有关古陶瓷的知识，参观古窑口和窑址。英权兄认为中国古代的瓷器和今天的半导体芯片有一个共性，即都是土（或沙）和火的产物。他相信既然中国昨天是瓷器之国，那么明天则应该是半导体之国。 我和英权兄相交十二年，由于是好友又共同创业，友情之外，更共同经历了难以为外人道的艰辛，彼此的关系大大超过一般朋友间的交往。他常和别人说，虽然他认识我只有十年，但感觉上却好象超过二十年。这几年两人见面的机会少了。一方面是因为他生病后不常来上海；而我又由于二次创业工作繁忙，也不能经常去硅谷看他。最后一次相见，是今年8月底。那时癌细胞已经侵蚀到他的食道，使他无法正常进食，但他精神仍然很好，谈了很多，并邀我一起欣赏了他的一些收藏。他谈到死亡，非常平静坦然地说：即使现在就走，我也无怨无悔。我的一生很美好，想要做的事都做到了，子女长大成人，都很成器，还有象你这样的朋友......不料那天一别竟成永诀。 英权兄的英文称谓是Ying K.Shum。有一次他对我说：我们两个爱好中国文化的人，为什么彼此以英文习惯相称？以后我称你崇和弟，你叫我英权兄吧？我当时觉得多年的习惯改了别扭，提议还是照旧。这次为他送行，我以英权兄称呼他，我知道他会喜欢的。 杨崇和 2007年12月16日于海上枫江书屋 时西窗吹雨 草木萧森 ______________________________________________________________

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• 冬泳

  2007-12-16

  Tag：复杂生活

  ______________________________________________________________ 虽然是在室内，但水温一点不比室外的暖和。蒙头跳下去，浑身顿时没有感觉，手脚几乎麻木。禁不住大叫一声，把泳池里寥寥几人都吓一跳然后又都哈哈一笑。赶快奋起搏水，胸口这时候有些窒息的感觉。游了两圈，身体已经渐热，感觉不到水温对自己有什么刺激了。不停地游啊游啊，真是惬意。但是只要你稍微一停，立马感到寒意逼人。所以只好一直奋力，直到脚趾头抽筋。 *** 今天在双安麦当劳兑换移动M值套餐。四个一眼就能看出是农村来北京打工的孩子（其实也就比我小几岁而已），两男两女，点餐的时候结结巴巴，很腼腆，又很拿不定主意，四个人点了85块，我看到他们拿钱的时候的眼神，我知道。从来没有见过哪家麦当劳餐厅像双安这样火爆，又正值正午，人非常多。但是，让我感到很开心的是，那位接待这四位农村孩子的服务员，非常热情，非常周到，没有一点不耐烦，主动介绍和推荐合适的东西。嗯，不错。想想，自己真的很幸福。 *** 他妈的，反馈！ *** 被婷儿挑出来几个错别字，赶紧改正。嗯，“不可随处小便”，生活态度的问题。以后，婷儿找到一个错别字，我就交一块钱。呵呵。 ______________________________________________________________

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• 走马川行奉送出师西征

  2007-12-15

  Tag：光影食色

  ______________________________________________________________ 君不见走马川行雪海边，平沙莽莽黄入天。轮台九月风夜吼，一川碎石大如斗，随风满地石乱走。匈奴草黄马正肥，金山西见烟尘飞，汉家大将西出师。将军金甲夜不脱，半夜军行戈相拨，风头如刀面如割。马毛带雪汗气蒸，五花连钱旋作冰，幕中草檄砚水凝。虏骑闻之应胆慑，料知短兵不敢接，车师西门伫献捷。 ______________________________________________________________

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• Can silicon displace GaAs in handsets?

  2007-12-13

  Tag：技术人生

  _______________________________________________________________ Silicon has certainly driven GaAs out of mainstream markets before. In the 1990s, GaAs ICs for CDMA and TDMA handsets from companies such as M/A-COM, RF Micro Devices and TriQuint addressed the transmit/receive chain through on-chip integration of mixers, LNAs and gain blocks. Asif Anwar is director of the GaAs and compound semiconductor technologies program at Strategy Analytics. But, as the radio moved towards addressing multiple bands, GaAs processes were simply unable to match the more complex integration offered by silicon. Another example was the rapid decline of GaAs in digital ICs. In 2000, Vitesse was the largest GaAs device manufacturer in the world. But when CMOS performance caught up, Vitesse's switch to silicon effectively killed off the market for digital GaAs ICs. In handsets, GaAs became confined to the radio front-end, where it is now the incumbent technology for power amplifiers (PAs) and switches. Today, GaAs industry revenues are dictated by wireless applications, with the global market for GaAs devices – mostly MMICs – totalling $3.1 billion in 2006. But could history be repeated? Could silicon take over the handset PA and switch functions? Silicon challengers Integration has always been the unique selling point for silicon technologies and continues to be the primary argument used by companies looking to displace GaAs from handsets. Axiom Microdevices and Jazz Semiconductor are two silicon PA suppliers targeting cellular handsets, with Axiom claiming to be on track to ship 10 million quad-band GPRS PAs in 2007. The V125 cell phone, made by China's ZTE for cellular operator Vodafone, is one example of an ultra-low-cost handset that is popular in developing countries. Although many expected silicon-based power amplifiers are to be used in such phones, ZTE has sourced its PAs from GaAs specialist TriQuint Semiconductor, which is shipping to the Chinese company in large volumes. Credit: ZTE. Certainly, its AX502 product is approved on a number of major semiconductor platforms and selling to phone manufacturers such as ZTE in China for low-cost handsets. Axiom is also looking at developing products for higher-end EDGE and wideband-CDMA platforms, and cites silicon's potential for a one-chip solution, with integrated PA, transceiver and baseband. Jazz recently announced its "Silicon Radio" platform, again aiming for a future single-chip solution encompassing the transceiver, PA, antenna switch and power controller. In the shorter term, the company is introducing an integrated PA, power controller and antenna switch on a single die, effectively looking to displace GaAs-based discretes. Jazz also has EDGE and W-CDMA solutions in its sights. Australia's Peregrine Semiconductor has targeted the handset switch market with its silicon-on-sapphire UltraCMOS process, which is based on superior integration and performance – if not necessarily lower cost. The key to the company's success was the initially better performance of its parts in meeting and exceeding the 3GPP IM3 specifications for W-CDMA/GSM operation. Coupled with the integration advantage, Peregrine's switches are rapidly displacing conventional silicon-based pin diodes in antenna-switch modules and have also been used in PA-switch modules, displacing GaAs-based PHEMT switches. As new cellular standards emerge, handset manufacturers are seeking proven technology that can meet the requirements across their product range – from leading-edge to ultra-low-cost platforms. In this context, it is clear that GaAs HBT PA and PHEMT switch technologies currently meet handset OEM requirements for performance, time-to-market, packaging and even cost. While GaAs technology performance and multimode and multiband architectures have served to increase the overall GaAs content being used in handsets over the years, chip manufacturers have also improved the integration capabilities of GaAs technology, increasing the value-add to their customers. Anadigics' BiFET process combines HBT and FET structures on one substrate and forms the basis for the company's cellular handset PA modules, which are designed to minimize current consumption while maximizing power-added efficiencies, especially in the 16 dBm regime where handsets operate for the majority of the time. Using BiFETs, Anadigics has also showcased a fully integrated 802.11 a/b/g WLAN front-end IC that combines high- and low-band PAs and LNAs, RF switches, filters and all other associated circuitry on a single die with the final product measuring 4.0 × 4.0 mm. Skyworks' BiFET process also combines a FET on a HBT substrate to offer biasing and power output on a single chip for both cellular handset and Wi-Fi front-ends. The power output stage of this process outperforms conventional GaAs HBT PAs, while the addition of the FET on the same chip displaces the requirement for separate silicon ICs used for biasing control and also offers the handset manufacturer a smaller footprint solution. Early implementations by Anadigics and Skyworks have focused on using a HBT wafer with the FET grown on top or alongside using etch stops to separate the different devices. Other companies, such as WIN Semiconductor, are starting with a HEMT wafer, with a HBT and E/D PHEMT device optimized separately on the same wafer, again using etch stops. Adding more complex E/D PHEMT devices offers both switch and power amplification on the same die, plus the associated logic control that is typically performed by a separate silicon CMOS-based die. Finally, E-mode PHEMTs have been demonstrated as a viable tool for achieving greater levels of integration on GaAs. Avago Technologies has developed a fully integrated front-end IC for 802.11 a/b/g that integrates high- and low-band PAs and LNAs, RF switches, filters and all other associated circuitry on a single die, with the final product occupying a 1.5 × 2.6 mm footprint. Counting the real cost One of the oft-repeated arguments from the silicon camp is that GaAs is an expensive, exotic technology that is merely tolerated by end-users as it currently offers the best performance. In targeting the cellular front-end, Jazz and Axiom have focused largely on integration, but cost is also an integral part of their argument. Axiom cites $1000 for a typical 8 inch 0.13 µm CMOS foundry wafer, comparing it with a 6 inch wafer from a GaAs foundry that it claims could cost as much as $2500. Jazz cites a similar sliding scale for silicon wafers, from around $1000 for CMOS, rising to $2500 depending upon the layers of metallization and extra processes required. SiGe-based PA foundry wafers on an 8 inch platform also cost around $2500, but the larger size offers almost double the potential device yield. So if we simply compare commercial wafer foundry costs, then clearly GaAs is at a disadvantage to both silicon and SiGe. But that's not quite the whole story. It must be remembered that more than 95% of GaAs HBT PA and PHEMT switch manufacturing for cellular handsets is done by integrated device manufacturers (IDMs), such as RFMD, Skyworks, TriQuint or Anadigics, all of whom own in-house manufacturing facilities. We estimate that the real cost of an internally manufactured HBT PA wafer is closer to $800 – raising a serious question mark over silicon's supposed cost advantage. Backing up this argument is evidence that GaAs technology is competing successfully against silicon CMOS in ultra-low-cost handsets. TriQuint is in volume production to China's ZTE for Vodafone's ultra-low-cost handsets, for example. Closer analysis reveals that silicon technologies can actually be significantly more expensive than GaAs when considered for low-volume markets like infrastructure, automotive radar or satellite communications. This emerges when the costs of a mask set are taken into account. We estimate that a GaAs mask set typically costs between $25,000 and $50,000 – compared with between $50,000 and $300,000 (and, in extreme cases, more than $1 million) for silicon processes. We therefore believe that silicon solutions can only be cost-effective for certain niche applications, typically where leading silicon IDMs can run specialized processes on their conventional high-volume manufacturing lines. These applications include millimeter-wave radios and automotive radar. The latter market is one example where this model is already being applied by M/A-COM and Infineon, and is an area where SiGe-based solutions will potentially displace GaAs in both long and short-range platforms. Ultimately, however, GaAs technologies remain the most cost-effective solution for high-power, high-frequency applications, with demand from cellular handsets continuing to be the primary growth engine for the GaAs industry as 3G services expand. For 2006, we estimated that 3G platforms accounted for only 13% of the handset market. However, we believe that this proportion will increase to 61% of global shipments by 2011. W-CDMA/EDGE-based handsets will account for 42% of phones shipped, with EDGE/GPRS accounting for more than 37% of handset sales in 2011. Simply put, the bulk of unit growth will be in the higher end of the market, where complex multimode, multiband front ends will be required. There will be a mix of approaches used in these front-ends, but we forecast that GaAs devices will continue to dominate this function and be used in a variety of products, including PA modules, PA-filter modules and PA-switch modules. Coupled with demand from other markets, such as cable-access TV, wireless base-stations, telecoms and datacoms, the overall market for GaAs devices will exceed $5 billion in 2011. From: compoundsemiconductor.net _______________________________________________________________

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