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狗残 + 脑残
2008-04-11
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III-V 化合物半导体
2008-04-08
Compound semiconductors are critical to the operation of many electronic and optoelectronic systems including mobile telephony systems, satellite communications and power systems, automotive applications, and more. Because of its unique properties, compound semiconductors have emerged as key enabling materials in facilitating the dramatic advancements and improvements in these industries.
Unlike silicon, which is a single element semiconductor and, therefore, has a fixed set of inherent electronic characteristics, compound semiconductors are made from a mixture of elements from the group III and V columns of the periodic table, including Gallium Arsenide, Indium Phosphide, Aluminum Gallium Arsenide and others.
By combining elements from the III and V colums, engineers can make materials with a diverse range of optoelectronic and electronic properties.
In particular, compound semiconductors are extremely efficient at generating light from electricity and converting light back into electricity, compared with existing alternatives. Because of this, they have been key materials enabling the operation of semiconductor lasers, LEDs and detectors, which are at the heart of almost all optoelectronic systems, such as fiber-optic communication systems, optical storage systems, display technology and satellite power systems.

In the electronic domain, the range of electronic properties created by compound semiconductors includes the ability of electrons to travel more quickly in these materials than in silicon, by a factor of up to ten, enabling the operationg of much higher frequency, lower noise and more power-efficient electronic systems. This has enable significant improvements in the mobile telephony, satellite communication and wireless communication industries to take place, contributing to the ongoing communications revolution.
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迷失
2008-04-06
不知道为什么,这段时间写“心情故事”这个Tag特别多。
大学班主任说我是班上心智最成熟的一个;蛋蛋说我不是80后;还有很多人说我看上去和我真实的年龄很不相符。也许,他们说的是对的,因为我也经常认为自己在做很多事情的时候很老到,考虑周全,判断准确,果敢决断。我总是相信自己有一种与生俱来的本能,就是可以从纷繁复杂之中迅速找到那根最重要的主线。过去很多经历,是我在一开始就非常准确地预先揭示事情背后的真相和结果,以至于身边很多人都说我心智超常。
然而,也许这些赞誉之词只能冠以这样的定语:“曾几何时”。人长大,阅历越多,反而越不能看清这个世界。为什么呢?有朋友说道:“不要太早逾越阅历!”那么,是我在潜意识中试图逾越吗?不得而知。最近总是有一些乱七八糟的念头突然笨出来,我想尽办法想把这些念头掐掉,可是它们似乎根深蒂固顽固不化。我受制于它们,只能任其摆布。好似一个人明知道鸦片有毒,但还是趋之若鹜。这种心灵的纠缠,让我痛苦不堪。
婷儿今天说我“婆婆妈妈”,这句话就像是一把刀重重地砍在我的伤口上。不知从何时起,我发现自己做决定变得很犹豫,有的时候连买一个很小的东西,都要反复想上好几次,权衡利弊。这已经完全不是我的行事风格,尽管从前有些鲁莽--或者胆大乱为--也可以称之为洒脱,我还是非常讨厌现在这个优柔寡断的自己。有人曾说:“犹豫是因为你在乎!”也许是吧,我也不知道。
想起很早之前写的一句话:“龙泉在握几彷徨!”我必须要有这样一把龙泉宝剑,斩断所有瓜葛。人生,不可彷徨。
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转移衬底的问题
2008-04-02
The transition from to mesa device topology was motivated by the following issues with the transferred substrate process.
The dominate failure mechanism associated with the TS-process have to do with the substrate removal steps. After the device and circuit formation is complete, BCB coasts the wafer and vias are etched for the subsequent electroplating of a 5um thick ground plane. At this point a GaAS or AlN carrier wafer was soldered against the ground plane. Often the BCB cracks because of the high temperature and pressure experienced by the wafer from the soldering bonder, or pockets of air get trapped between the InP host and carrier wafer. In the areas where this occurs, device and circuit yield is zero. The final step requires the InP host to be etched away. Some-times during this etch, the NiCr resistors are attacked because their SiN protection layer has formed cracks or voids earlier in the process. Circuits using these resistors would not bias correctly.
Device heat-sinking must be considered as the active HBT layers are scaled because the operating power density increases proportional to the device bandwidth squared. In the TS-topology, heat generated in the HBT is removed from the collector contact and Si3N4 dielectric on the emitter contact. Both the heat-sinking mechanisms have high thermal resistance. The triple-mesa topology alleviates this issue because heat generated in the collector can be removed into the high thermally conductive InP substrate.
For the TS-HBT process, device interconnects are deposited before and after the InP host wafer is removed. Electrical connection between them is required. To make this possible and have passivated HBTs, the passivation dielectric (polyimide) is pattern-etched leaving the device encapsulated while clearing the field. This requires the device interconnect metal climb ~0.8um over the device encapsulation. The metal at the interconnect step coverage sites is thin and necessitates a much lower maximum operating current density (mA/um) for them.
By using a mesa HBT technology the first two issues are avoided, greatly improving HBT performance and yield. Other failure mechanisms associated with emitter-base lift-off short-circuits, excessive emitter semiconductor undercut, and metal interconnect step coverage fractures and current handling were still unresolved, as shown in Fig. 3.1. Because of these mesa process limitations, discrete device yield was poor for highly scaled devices with emitter widths less than 0.7um, and for those with a collector to emitter mesa width ratio less than three. For circuits using large device features, the yield was poor for transistor count greater than 100 HBTs. As this chapter will report, numerous fabrication improvements and changes have been made to the mesa HBT process flow for increased device scaling and increased circuit yield employing such devices.
Richard: 转移衬底还是有一些问题。
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怕死吗?
2008-04-02
怕死吗?怕。
死,是人类--不,是一切生物的天敌,我当然也怕死了。但是,当死是为了不死之时,我绝不害怕。
三叔在老山前线牺牲,他绝对没有害怕;老姨夫在朝鲜被砍断手腕,他肯定没有害怕;奶奶在经受丧子之痛后,依然将大姑也送往前线,她们都没有害怕。那么,哪有英雄的后代害怕的?记得大学的时候,爸爸只给我写过一封信,这样写道:“你爷爷带领全村人民修灌溉渠道的时候,病倒在工地上,临死的时候叮嘱全家:我们全家要工农商学兵一样不落后。你大伯是出色的钢铁工人;你三叔和大姑是优秀的解放军战士;你二姑是够格的农民;我算是个勉强及格的商人,咱家的学,就着落在你的身上。希望你不辜负祖辈和父辈的期望,努力学习,精忠报国,为党、为人民、为国家做出贡献!”这封信我一直珍藏着,尽管当时大家都笑爸爸老套。但是我知道,这是爸爸--一个普普通通的中国人,对后代的殷殷期望。
国家安定,人民安康,我会想着我的车子,我的房子,我的幸福生活;当国家有难,人民有难的时候,让这一切都见鬼去吧!那时,我绝对是最拼命的一个。想起大学同学阿辉的话:“让我去当炮灰吧!”是的,就是这样,在国家大义、民族大义之前,我们宝贵的生命之所以宝贵,就是无畏。把我的生命拿走吧,我的鲜活的青春,愿意为我的祖国而骤然熄灭。
任何一个国家的发展强大,路上一定会遭遇种种挫折和磨难。你可以批评一个政府一个政党,谴责一个或者一群领导人--哪怕你用最恶毒的言辞,只要你是真的为了一个更美好更强大的国家。但是,倘若有人企图分裂或出卖祖国和人民,我将用我的血肉,将你们的屠刀挡住。千万万中华儿男,会勇敢捍卫久经沧桑的国家和人民。
2008年,我们已经经历南方大雪,物价上涨,3.07,3.14,奥运在即,很多做着白日梦的人(白人?黑人?黄人?)蠢蠢欲动。你们,不要痴心妄想!此时此刻,我正盘算着我的学业、工作、论文,为我将来的艰辛生活而苦恼;但是下一刻--就在你们欲动之时,我,将成为你们的噩梦。因为,我--不,所有中华儿女,深爱着自己的国家和人民。
智勇双全,精忠报国。
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玉林 欧洲房子
2008-03-30
附庸风雅。
在成都的日子,除了忙碌,就是无边无际的无聊。本来计划今天和轩轩一起去公司的,他要修改文章,我可以去看看书。早上起来才想起来,没有公司的钥匙,计划失败。
昨晚睡得很早,所以早上早早就醒来了。上午陪着轩轩去了中国移动换手机,然后就陷入了一个很难回答的问题:下午干什么?天公不作美,人也懒洋洋的,仿佛干什么都提不起兴致来。轩轩最后选择了“睡大觉”这个最有前途的time killer。我呢,最后选择了来我们对面的“欧洲房子”坐坐。
嗯,长这么大,是第二次进咖啡馆,不过间隔倒是挺密--上次就是上上周在北京朝阳门的StarBuck。欧洲房子,环境不错--至少比那家StarBuck好多了;服务员也非常不错,服务挺周到,打过电话之后就给我预备了二楼靠窗的位子,还有插线板。至于咖啡嘛,嘿嘿,像我这种对什么饮料都是牛饮的人,会有什么感受吗?不说也罢。只有一个感觉,比我每天喝的雀巢味道好得多--不过也贵的多哦。这里不爽的是,没有提供无线网络接入。不过,可以偷别人的,这就是为什么我可以在这里敲这篇文字的原因,嘿嘿。
做什么呢?嗯,也许看看文章是个非常不错的选择。清新的空气,适宜的光线和温度,美味的咖啡,学习效率很不错。
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前天晚上贪功冒进,画完时序调整电路已经凌晨两点了。昨天早上果然起晚了,轩轩居然在等我。成都的天,又在飘着毛毛雨--不爽快!走过玉林茶府下面,轩轩眼睛一亮,因为看到并排停放了一辆Audi A8L W12和一辆BMW 760Li。呵呵,轩轩是个汽车迷,每天都会给我讲很多关于车的故事。我不知道这两辆车究竟有多牛,反正是很好很好就是了。轩轩道:“再放一辆Benz S600就齐活了!”不懂。不过,走到京都酒店的时候,轩轩眼睛又亮了,因为他看到了Benz GL450。
成都人民真有钱!--至少玉林这里,遍地都是好车。
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轩轩来的时候居然还穿着毛衣--看来北京这段时间比较冷啊。周三的时候,成都的温度是27度。呵呵,他只好去搞了一件adidas短袖,可是还没有来得及穿,天气又转凉了。我们新租的房子,虽然大了不少,但是四周被树包围,根本见不到阳光。阳光本来在成都就是稀缺的,现在更好,绝缘了。我这个北方人,很不适应这样阴冷的房间。看看前天晚上在阳台上拍的pp,乱七八糟。
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昨晚从公司回来时候已经不早。吃过晚饭我一个人来到对面的印象大书房。我经常来这家书店闲逛,也买过一些书,譬如《中国高层智囊》,《巴菲特》等等。尽管说开卷有益,但是一个人应该读什么书,还是有些学问。历史?人文?时事?财经?世俗?科学?娱乐?我究竟应该读些什么?每次来到这家书店,我都会不自觉地陷入这样的思考。有很多人,很多事让我艳羡,比如知识渊博的曾先生,比如漂亮的自然风光,比如大把的钞票抑或是衣着光鲜......我想,读什么书的思考,其实深层次地说,就是追求什么,做什么人的思考。而我,我怀疑,对自己的定位是漂移不定的,这是个危险的信号。
尽管大多数情况,来到这家书店仅仅是为了“饭后走一走”,还是要感谢印象大书房,让我陷入这样的思考之中,哪怕还是找不到答案。
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这次来成都工作倒是有不小的进展:解决了几个非常严重的问题,效率提高了四倍,功率则是随我所愿,想要多少就要多少。非常感谢旦旦和彦奎兄,正是我们在一起的精诚合作和广泛探讨,才促成这个进步。请教了业界几位老师,称效率达到这个级别已经很不错了,已经接近极限。但我不相信,因为我觉得还有提高的余地。然后,做的几组实验,让我很沮丧。因此,这里还有几个疑问:
1. 为什么Class B不灵光?
2. 为什么深饱和之后电流反而会下降一些?
3. 动态偏置?
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无题 照片
2008-03-28
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FPAA 可编程模拟阵列
2008-03-26
Field programmable analog arrays (FPAAs)
Full-custom analog design of integrated circuits is time-consuming and their verification expensive. Many attempts have been made to apply rapid-prototyping techniques known from the digital domain to analog designs. The goal of the presented work is to develop an FPAA, which is suitable for reconfigurable implementation of analog continuous-time (CT) high-frequency filters on an integrated circuit. This would enable designers to immediately verify the structure and coefficient selection of a filter in hardware and provide a working prototype. When being used as a verification tool for system-level designers, only a prototype would be implemented on the FPAA and deliver the proof-of-concept. The knowledge gained would then be used to accomplish an integrated design for mass-production. Moreover, the FPAA structure could be used as reconfigurable hardware platform in itself, to achieve a filter which is adaptable in the field to varying requirements or environmental conditions.
The FPAA structure consists of a two-dimensional array of CABs, which include digitally configurable transconductors (differential transconductance amplifiers). The arrangement in a hexagonal layout allows reconfigurable routing of analog signals throughout the chip. Series and parallel connection as well as feedback of any order is provided by the structure. Every CAB has six branches connecting to the respective neighbor CABs and one for self-feedback. The massive parallel connections of both parasitic input capacitances as well as parasitic output capacitances at the input nodes of each CAB sum up to capacitances in an order of magnitude such that they are suitable as integrating capacitances for the filter upto unity-gain bandwidths of 200 MHz. 
Richard:可编程的模拟器件,这倒是个新奇的东西。今天偶尔看到了一些“Reconfigurable Analog Hardware”的研究,包括:FGMOS(Floating Gate CMOS Circuits),FPAAs(Filed Programmable Analog Arrays),GAs(Filter Synthesis by Genetic Algorithms)。没有详细了解,目前工业界做FPAA的有:Anadigm,Lattice Semiconductor,SIDSA,Zetex等。将入FPAA可以成功应用的话,那么,在模拟电路中,原型验证就非常简单了,但是,模拟电路和工艺有较大的关系,不像数字电路容易验证。FPAA其实想法挺简单,模拟学数字,但是我觉得恐怕实现起来很困难。不知道以后会不会有可编程的射频/微波阵列?呵呵。
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TI的最新策略
2008-03-24
From EETChina.com
事实上, TI在2008年已做好准备向竞争对手重新发动攻击,尤其是针对它的“眼中钉”:无晶圆厂竞争对手博通、MTK和高通。此外,数家集成器件制造商(IDM),如飞思卡尔、英飞凌、NEC、NXP和意法半导体,也将同时角逐基带芯片市场。
TI准备推出新的芯片系列来迎战,逐渐展开其“混合”或轻晶圆厂制造策略,并向新的研发模式转型。这些举措中的一部分旨在降低制造成本,使公司成为更具应变能力的竞争者。
此外,TI似乎已经改变了它在逻辑器件(包括基带器件)方面的策略基调。曾几何时,这家芯片厂商还在大肆吹捧其先进的逻辑晶圆厂和工艺技术。但现在,它很少提及工艺,更多的是讨论设计。的确,TI开始听起来更像一个无晶圆厂商,而不是IDM了。
在设计前沿领域,TI的执行官们已经在暗示新的45nm产品线,尽管该公司尚未发布一款45nm产品。TI还更新了它的混合制造策略,对颇受争议的最新研发模式进行了概括描述。
TI采用逻辑和数字器件混和策略已有数年,在此期间充分利用了自己的晶圆厂和多家硅晶圆代工厂的产能优势。在模拟方面,该公司继续投资自己的晶圆厂和工艺技术,迄今为止它是全球最大的模拟芯片制造商。
TI继续在自己的制造厂内生产基带器件和其它IC产品,同时它还借助几家晶圆代工厂来生产其无线器件。在65nm节点,TI独立开发工艺技术并生产出了自己的高性能数字信号处理器(DSP)。但在45nm节点,该公司将和晶圆代工巨头台积电(TSMC)联手打造TI的DSP。
长久以来,TI都以它在先进逻辑工艺以及晶圆制造厂上的自主开发能力而自豪,声称这些能力让它超越其它无晶圆厂竞争对手。不过最近,在工艺方面晶圆代工厂已赶上乃至超过了许多IDM。这让高通及其它一些无晶圆厂基带供应商大大缩小了和TI的工艺水平差距。
与此同时一些谣言也开始散布,称台联电(UMC)为自己的拆分公司MTK提供特别低的晶圆价格。(颇具讽刺意味的是,TI与多个无晶圆厂竞争对手使用包括特许、TSMC和UMC在内的相同代工厂。)
随着晶圆代工厂逐渐缩小工艺差距,在无线芯片领域的游戏名称已经发生了改变,TI无线终端设备业务部CTO Bill Krenik提到。工艺技术这一曾经的秘密武器将变得越来越普通,差异化因素也越来越少,这不仅仅针对TI,对整个无线芯片行业亦是如此,Krenik称。
他指出,真正的关键点在于设计内部本身,以及驾驭低功率、集成度等的能力。例如,TI的单芯片手机LoCosto就利用了该公司专有的DRP数字RF处理器技术来集成RF收发器、模拟编解码器与数字基带。TI还在其无线产品中采用了据称可控制电压、频率和功率的SmartReflex技术。
有这些技术在手,TI将打破那些认为它落后于当前技术发展或正在丢失市场份额的偏见。例如,高通最近声称开始由其晶圆代工合作伙伴TSMC展开其45nm基带设计的流片工作,而TI则早已出样了一款未发表的45nm器件,并安排在2008年中期进行认证,Krenik告知。
“至于基带市场的动向,”他表示,“该领域总是存在大批竞争者,有时我们赢得份额,而有时其它厂商获得胜利。”
在45nm以后,TI正在向逻辑领域的某些未知方面转变。去年,它宣布从32nm节点开始,把自己的数字研发工作从公司内部转移到晶圆代工合作伙伴TSMC,此消息令市场一片哗然。据Gartner公司称,TI在向轻晶圆厂策略转型,旨在降低风险和成本。
不过,有些观察人士认为这项策略本身就具有风险性。因为TI等于把自己领先的工艺(甚至有可能是自己的未来)移交到了TSMC手中。
TI-TSMC结盟消息的宣布引发了关于TI在Richardson的300mm晶圆厂RFab命运无尽的猜测。
当TI在过去十年最初宣布兴建这间晶圆厂时,一心构想它将需要用来内部控制自己的大部分逻辑(和基带)器件的产能。那时,晶圆代工厂们还落后于技术曲线,而TI似乎有无穷无尽的资本流入晶圆厂。
其实,TI的IDM想法消失已久。该公司兴建了RFab厂房外壳,但始终没有提到何时进行装备。Forward Concepts的Strauss表示,鉴于TI的轻晶圆厂策略推进,行业内传闻又起,称TI最终将卖掉Rfab。
更使有消息人士称,迄今已有IM Flash、美光和三星相继看过这间厂房。
还有一些人认为,TI会把这间厂房转变为一间巨大的模拟厂。的确,在布道DSP数年之后,TI未来的成功将系于模拟技术已不是什么秘密。
问题在于,当模拟领域的利润开始下滑,或者当市场渐告萧条时,届时TI将采取什么样的策略?Richard: 能看懂,呵呵。
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生命
2008-03-23
生命是可贵的,是上天赋予的最珍贵的东西,绝不允许有人将它随意地夺走。而人之所以为人,区别于禽兽,就是因为人动地如何看待生命。珍惜别人的生命,自己才有生存的权利。神是公义仁慈,神是爱人,是不嗜杀,你自以为神,难道连这一点也不明白吗?













