-
锐迪科地面数字电视广播射频接收芯片RDA5880量产
2009-07-07
From: EETChina
锐迪科微电子(RDA)日前宣布，其应用于地面数字电视接收的高性能射频接收芯片量产，这也是在该领域国内首颗成功上市的芯片，标志着国外芯片垄断国内市场的历史从此改写。该芯片型号为RDA5880，采用CMOS工艺，QFN32 5*5封装，片外器件极少，具备高集成度的特点，支持自动增益控制模式，能够支持目前所有的数字电视广播传输标准(包括 DVB-T、DVB-C、ATSC、DMB-T/H、CMMB等)以及模拟电视标准，支持多波段band III 174M-240M, VHF band 470M-870M。
RDA5808的量产令锐迪科的产品线更加丰富。此前，锐迪科已经成功推出了多款FM、Bluetooth、DAB、TD、GSM等射频接收或收发芯片。其中针对ABS-S/DVBS2机顶盒市场所推出RDA5812，出货量已经超过1000万片，深得机顶盒生产厂家的认可。此次推出的RDA5880是专门面向蓬勃发展的地面数字电视市场而设计，并进一步强化了产品多方面的特性，提升了RDA5880应用与移动系统的可能性。RDA5880片内功能强大，具有高性能(噪声系数<5dB)、低功耗(小于150mA)的显著特点，可以广泛应用在笔记本电脑、MP3/MP4、高端手机、PMP、PDA、车载娱乐导航系统、数码相机等便携式终端产品，也可以应用于机顶盒，满足用户长时间、直接收看地面数字电视广播的需求。
锐迪科微电子该业务负责人樊大磊先生介绍：“我们已经进行了几个月的用户端测试，测试结果表明芯片功能良好，完全达到预期设计指标。尽管目前市场上已经有了几款地面数字电视射频接收芯片，但与他们相比，RDA5880仍具有突出优势。此款芯片采用先进的产品架构，无前端射频滤波器，集成了射频锁相环(包括环路滤波器全部片内集成)；同时集成高性能模数转换器，无须外部控制信号就能够实现自动增益控制；还集成了LDO，能够支持3.3V-4.5V的电源电压。高集成度单芯片的解决方案简化外围电路，令终端厂商的设计更为简单，并大幅降低终端产品的材料成本。”
除高集成度的特点外，RDA5880还具有很好的性能。系统噪声系数小于5dB(包括前端band III 与VHF band的分频网络)，良好的灵敏度保证了应用终端即使在距离远、信号弱的情况下还能有效地接收地面数字电视节目；大信号信噪比30dB以上，在应用上能满足QAM256的解调要求， RDA5880也是业界功耗最低的一款产品，功耗小于150mA，延长了电池使用时间；该芯片在抗干扰能力方面也表现优异，完全满足NorDig1.0.3标准，保证接收到的音、视频清楚、流畅。
目前RDA5808的样品和小批量已可提供，供货周期为 8～12周。锐迪科已为多家客户提供现场应用支持，包括硬件调试和软件支持，并开放各类技术支持文档，帮助客户最快速度实现产品量产。***
RDA，真是好样的。
-
亲不待
2009-07-06
“树欲静而风不止，子欲养而亲不待。”--语出《孔子集语》，愿意为告诫人们当亲人健在的时候就要尽自己最大能力去报答、关心、孝顺他们，不要等失去以后才懂得珍惜，才去后悔，一切也都晚了。但是，我在这里所想说的却是这样一个普遍的事实：当孝子们有能力去赡养父母亲人时，他们却先去了。
周末给家里打电话，得到噩耗：大伯被确诊肝癌晚期。当时在电话里，妈妈小心地跟我说，先不要打电话给你大伯家，你伯母还不知道呢，我们都没有想好怎么跟她说。刹那间，我的眼泪就要涌出来了。大伯的一生，简直就是的真的悲剧：少年丧父，中年丧子，两个女儿所托不幸，一辈子老实巴交面朝黄土背朝天的辛苦劳作，好日子还没有看到期待，死神却已经悄然降临了。我放下电话，坐在椅子上沉思，脑子很乱。眼前浮现出大伯古铜色的皮肤在阳光下闪烁着油光，脸上的笑容非常慈祥，夹着纸烟的手指短而粗壮，手掌上的老茧一层又一层。大伯在我的印象中，永远都是那么慈祥，脸上永远笑容荡漾，尽管生活艰辛他也永远那样慈祥地微笑着；只有每年永强哥的忌日时，大伯会躲在家里一个人不停地低声哭泣，还有每当村子里和永强哥同年的孩子们结婚，他也会一整天在家里哭泣，我见过好几次。那是多么令人心碎的场面。永强哥去的时候，我还很小，长大了才知道他居然是因为急性阑尾炎看不起病活生生疼死的。这是大伯心中永远的痛，他永远不能原谅自己的无能，自己的怯懦；记得永强哥去的时候，爸爸和姑姑们差点都要把大伯打死骂死，恨他没有发现永强哥一直是强忍着剧痛，汗水把厚厚的棉被都打湿了；恨他没有向兄弟姐妹求助；恨他的狠心和愚昧。可是，我一直想替大伯说句话：其实他才是最心碎的那个人。继而两位姐姐相继嫁人，不顾父母的反对草草完结各自的终身大事，婚后的生活都非常不幸，各有各的不幸。一辈子没有摆脱贫困，近几年老家人民的收入渐渐多了起来，可是大伯的结余也基本上贴补给了两个女儿，自己都没有享受到。如今，我知道，在这样的境况下，肝癌晚期就等于死亡通知书，我们，竟然无能为力，没有任何办法。想到这里，眼泪真的流淌到脸庞。
少小离家求学，到现在已经十年有余了。父辈们把几乎所有的希望都寄托在我的身上，他们用那因辛苦劳作而张成满月的背脊，将我这支利箭射出了大山，他们不期望能有所回报，只希望我能够不再重复他们的劳苦。那个时候，他们还年富力强，正值壮年，我也懵懵懂懂，不晓得人间疾苦。当我越来越成熟，也开始品尝起世间五味，也开始体会到父辈们的艰辛，开始眼睁睁看着他们的日渐衰老。这年回去，发现他们头上的白发开始多起来了；下年回去，发现他们的腰背开始弯了；下年回去，发现他们的茶几上多了不少药瓶；再下年回去，发现他们的腿脚破不灵便了......我知道宿命使然，懂得生老病死，但是这样一幕幕的变化是那么残忍，让你忍不住垂头丧气。尽管没有什么豪言壮语般的许诺和吹嘘，我在心里有一个非常强烈的愿望，我想要回报，我想要等我功成名就衣锦还乡的时候，回报给他们幸福的晚年生活。当然，幸福的生活不仅仅是不缺衣少食的物质美满，他们更愿意看到子侄们成人成才，孝敬和善。在没法用物质作为回报的这些年头，我努力着按照他们贴在我额头上的标签去做自己，事实上我也从来没有让他们有所失望，我喜欢他们看着我做出的每一点成绩而洋溢在脸上的幸福的、显摆的、炫耀的笑。自从我高考之后那年，妈妈每年夏天都会非常关注家乡高中的高考成绩，然后美滋滋地打电话给我说：今年仍然没有人超过你的高考成绩。我可以想象妈妈说这句话的时候，嘴边骄傲的笑容。尽管自己很平凡，但有一个人中龙凤的儿子，就可以非常骄傲地面对所有比他们过得红火的左邻右舍；子侄的成功和幸福，就是他们的成功和幸福--这就是他们的幸福哲学。
但我自己所想，绝非仅仅这些。在这样一个年代，这样一个社会，我无法免俗，钱，钱，钱！我不愿意承认，也的确自以为，钱，不是我的终极追求。但是，面对父辈的贫困潦倒，面对他们巨额的药单，面对疯长的物价，你还能怎么高尚到宣称自己视金钱为粪土，只有真理才是你的追求？！人们每天在批评水木上征友的mm们，征友要求总有“有房有车”这么一条；而人们茶余饭后谈论最多的也是“房价又涨了”，渴望“知识改变命运”的人们，到头来发现，也许一辈子的知识也不能满足你最基本的有所居的愿望，更别提飞黄腾达的命运转变了。在这种压力之下，就不能怪年轻一代们变得俗气起来，或者说，现实、势利起来。我总在想，我们这一代出生和生长在和平和发展的年代的年轻人，所承担和承受的，比起开拓创新的前辈们来，根本算不上什么。父辈们付出无数血汗打下的江山，要靠我们新一代去继往开来的时候，我们却先被吓到了，没有勇气了。是吗？是没有勇气了吗？师兄说，我不是没有勇气，只是看不到希望？那么，希望躲到哪里去了呢？师兄说，希望躲在了那座他不吃不喝二十年都买不起的小房子的后面。
什么勇气啊，希望啊，统统滚一边去吧。世事艰难，但老子依旧相信，事在人为，永远保持一颗火热的心。只是，我希望，我的父辈们，不需要再等待我太久。
***
从来没有像今年这样的心境，急切地想跳出这个象牙塔，跳进工业界。不是因为厌烦，也不全是为了赚钱，很大一部分原因是发现自己越读书越糊涂了，很多东西本来一开始还比较明白，可是深究下去却糊涂了。我希望到一个地方，那里能够让我明白，哪怕明白自己全是错误的地方，只要让我不再糊涂。
***
我们的wafer今天出厂了，很快就要见生死。
心中忐忑不安，无数遍地祈祷片子不要出问题。
最近老是消极怠工，提不起兴致做事，连打球都软塌塌的。
-
读点书
2009-06-24
爱因斯坦在《培养独立思考的教育》一文中说：“用专业知识教育人是不够的。通过专业教育，他可以成为一种有用的机器，但是不能成为一个和谐发展的人。要使学生对价值有所理解并且产生热诚的感情，那是最基本的。他必须对美和道德上的善有鲜明的辨别力。否则，他--连同他的专业知识--就更像是一条受过很好训练的狗，而不像一个和谐发展的人。”
***
成功的四个要素：自己要行；要有人说你行；说你行的人要行；身体要行。
***
于丹《这个时代，读书到底有何用》：
我把现在的阅读分成有用的阅读和无用的阅读。所谓有用的阅读就是为知识的阅读，为了拿一个文凭、为了在职业中提升自己的阅读。
在这个时代，有用的阅读当然是重要的。但是，比这更美好的境界是无用的阅读，就是为生命、为成长的阅读，它不见得给你一个直接的文凭，不一定给你专业的技能，但是它让你的心灵辽阔，给你幸福感和安全感。
读书在我们今天这个时代到底有什么用呢？我想除了应对世界之外，更重要的是确认自我。今年的毕业生都在抱怨，入行的门槛越来越高了，入行的薪水越来越低了。他们说，我们这拨孩子怎么这么倒霉，扩招进来的，而出门的时候偏偏赶上了危机，到处不是减薪就是裁员。我们怎么办？社会给我们的价值评定又是什么？
我想不管这个社会现在给你什么评定，关键是自己怎么认定自己。
***
村上春树《当我谈跑步时，我谈些什么》：
已经说过，我是那种不予过问也会长胖的体质。我太太却不管吃多少，做不做运动，都不会变胖，连赘肉都不长。我常常寻思：“人生真是不公平啊！”一些人很努力却不一定得到的东西，有些人无需努力便唾手可得。
不过细想起来，这种生来易于肥胖的体质，或许是一种幸运。比如说，我这种人为了不增加体重，每天得剧烈运动，留意饮食，有所节制。何等费劲的人生啊！然而倘使从不偷懒，坚持努力，代谢便可以维持在高水平，身体越来越健康强壮，老化恐怕也会减缓。什么都不做也不发胖的人，无须留意运动和饮食。这种体质的人，每每随着年龄增长而体力日渐衰退。不着意锻炼的话，自然而然，肌肉便会松弛，骨质便会疏松。什么才是公平，还得以长远的眼光观之，才能看明白。
这样的观点或许也适用于小说家的职业。天生才华横溢的小说家，哪怕什么都不做，或者不管做什么，都能自由自在写出小说来。就彷佛泉水从泉眼中汩汩涌出一般，文章自然喷涌而出，作品遂告完成，根本无须付出什么努力。这种人偶尔也有，遗憾的是，我并非这种类型。此言非自夸：任凭我如何在周遭苦苦寻觅，也不见泉眼的踪影。如果不手执钢凿孜孜不倦地凿开磐石，钻出深深的空穴，就无法企及创作的水源。为了写小说，非得奴役肉体、耗费时间和劳力不可。打算写一部新作品，就必得重新一一凿出深深的孔穴来。然而，长年累月地坚持这种生活，久而久之，就技术和体力而言，我都能相当高效地找寻到新的水源；感觉一个水源变得匮乏时，也能果决而迅疾地移到下一个去。而习惯仅仅依赖一处自然水源的人，冷不丁地这么做，只怕轻易做不来。
人生基本是不公平的，这是不刊之论。即便身处不公之地，我以为亦可希求某种“公平”。这也许得费时耗力，甚或费了时耗了力，却仍是枉然。这样的“公平”，是否值得刻意希求，当然要靠各人自己裁量了。
***
TriQuint Semiconductor announced it has signed a framework agreement with ZTE Corporation, a manufacturer in China for wireless communication systems equipment. The document states ZTE will procure TriQuint components, including but not limited to CDMA, GSM and WCDMA ASICs, in the value of no less than US$50 million in the 2009 calendar year.
-
躲进世界的角落 -- 几米
2009-06-24
嘘——躲进世界的角落，请保持安静，忘记时间，做回你自己。
在这里，你自己就是整个宇宙。
我不记得从什么时候开始，我喜欢躲进世界的角落；我也不知道该怎么说，只希望有一天你们会懂我的心！
当我忧愁烦恼的时候，当我暴躁烦怒的时候，当我心情乱糟糟的时候，甚至当我快乐得不得了的时候，我都想换个角度，重新看看我的世界。
啊！如果有一天，我站在世界的最顶端，我会比现在更幸福吗？
它让人快乐，也让人忧伤。
它大方地让人怀抱希望，也残酷地要人面对失望。
有时候我害怕寂寞，希望一直有人陪在我身边。
有时候我喜欢孤独，厌烦纷扰的人群。
怎样才能找到一种神奇的魔药，好让我打败内心的恐惧呢？
大家都应该拥抱一个像天一样大的希望！
但是飞起来就一定会掉下去吗？
难道只有梦想与想象，才会让我们飞得又高又远吗？
但愿在世界的任何角落里，每个人都可以拥有满满的幸福！
尽管这个世界漏洞百出，但真的不用担心！
每个漏洞都会找到一个补洞的人。
但是如果我们轻易放弃我们该做的，世界同样也会放弃我们！
最后，连角落都不给我们躲藏了！***
《读者》2009-13的卷首语，只读了两句，就体会到了自己的心境，就是这个样子。
-
Nitronex snubbed by RFHIC's Cree switch
2009-06-24
From: compoundsemiconductor.net
Korean vendor says it favors performance and reliability provided by SiC substrates over silicon for GaN wireless components.RFHIC says that GaN-on-SiC devices can be competitive with products manufactured on silicon wafers, thanks to economies of scale offered by its strategic partner Cree.
“Although GaN-on-SiC is not the cheapest GaN solution, Cree makes it a viable alternative even compared to the most cut-throat LDMOS,” said Kevin Kim, senior international sales manager at RFHIC.
Cree announced that it had signed a strategic agreement with the fabless Korean wireless component manufacturer to supply it with GaN HEMTs at the beginning of June.In 2006 RFHIC originally embarked on a strategic alliance with Cree's Durham, North Carolina, neighbor Nitronex, which produces GaN devices on silicon substrates.Now, RFHIC's chief technology officer Samuel Cho has indicated that the latest deal is part of a clear move away from GaN-on-silicon.“We converted our product line and future direction to Cree's GaN-on-SiC HEMT technology based on its superior thermal and electrical characteristics as well as its outstanding robustness and reliability,” he said.
The high-volume LED manufacturing business that Cree is better known for is founded on its SiC expertise, and RFHIC says that is a major attraction. Now the Korean firm is exploiting low-defect, stable supply and comparatively low cost substrates, among other advantages that Cree can provide.“Their fab overhead is being shared with SiC power products,” Kevin Kim told compoundsemiconductor.net. “With increasing the wafer diameter and a large total number of processed wafers in the fab, we expect there will be a significant cost benefit in the long run.”Kim also said that the collaboration strategy, in which Cree focuses on device and transistor level products and RFHIC works on hybrid and pallet amplifiers, suits his company.
Key customers in the broadcasting and communication markets are already receiving RFHIC's GaN-on-SiC wideband amplifiers. Higher volume production is scheduled for the final quarter of 2009, and the majority of the projects are multi-year contracts.
In response to Cho's comments, Nitronex director of marketing Ray Crampton claims his company's latest products have better thermal performance than any of its competitors' offerings.“We have won major military design-wins at tier one customers based on both performance and robustness advantages over SiC-based GaN HEMTs,” he said. “Our robustness is proven and accepted as is our electrical and thermal performance.”
“While I respect the potential of any competitor, RFHIC has not shown the ability to take advantage of the performance benefits of GaN and I don't expect them to be a significant player on the competitive battle field.”
GaN development for RF applications owes a great deal to the DARPA Wide-Bandgap Semiconductor (WBGS) program, which has featured Cree in the largest of its three development projects.In March Raytheon, which has collaborated with Cree on this project, was the first to announce it had entered Phase III of WBGS with a $23.9 million contract.Fellow WBGS pioneer TriQuint gained $16.5 million to progress the strand of the project in which it is leading Lockheed-Martin, BAE Systems, II-VI and IQE RF in early June.No public statement has yet been made by the third strand, led by Northrop Grumman and including RFMD via its acquisition of Sirenza, on whether it is entering Phase III.Each of the three RF device makers involved in the WBGS projects has now launched a GaN foundry service. RFMD officially launched its offering at the MTT-S International Microwave Symposium this month, after TriQuint and Cree launched theirs last year.
Richard: 嘿嘿，Nitronex在公然鄙视RFHIC。RFHIC放弃Nitronex的GaN-on-Si转向Cree的GaN-on-SiC，怪不得Nitronex不高兴。不过，就我们使用Nitronex的GaN HEMT的经验，确实不像他所宣称的那么好。当然，不能排除我们和RFHIC一样，不是他们的产品不好，只是我们没有能力挖掘出他们产品的潜能。一想到Cree的GaN HEMT，就想起来吴毅峰。哎，我们不知道努力多少年，才能看到他的背影。
***
真的厌倦了这样的学习和工作，就像一个无头的苍蝇，满怀冲出黑暗的理想，不断振翅奋发，却永远不知道出口到底在哪里，甚至连路线是否正确都不知道。在最需要一盏明灯指引方向的时候，没有；在最需要有人来对我高声棒喝，告诉我“嗨，小伙子，你走错方向了”的时候，没有......
--呃，呃，my Jordan，我这是在抱怨吗？警醒。即使不知道对错，也不能停止追求。
斗争，斗争！！
***
再说一遍：“使自己永远优秀的办法就是，永远和比自己优秀的人在一起。”
日历
湘南乃風- 純恋歌
搜索
水滴石穿
最新日志
最新评论
链接
存档
- 访问统计：